实验目的：
霍尔效应实验装置(半导体)
● 恒定磁场条件下，测量霍尔电压与霍尔电流的函数关系，从而确定载流子的密度和迁移率。
● 恒定电流条件下，测量霍尔电压与磁场强度的函数关系，从而测定霍尔系数。

实验原理：
　 将一个长方体状半导体或携带电流的金属片导体放置于均匀磁场B 中，如果在这个矩形样品中通以强度为I 的电流，那么就会因为霍尔效应而在这个金属样品的垂直于电流和磁场的方向上产生一定大小的电势差，即为霍尔电压。

仪器特点：
● 稳定的磁场。
● 开放性的结构。
● 可调探测器。
● 高灵敏度和稳定性的电压放大器。
● 独立且通用的电源模块。

实验结果：

不同霍尔电流条件下霍尔电压与磁场强度的关系( 见附件中图号BEX-8509)

 
恒定电流下的霍尔电压和磁场的关系（见附件图号BEX-8508-1）

 
恒定磁场下的霍尔电压和霍尔电流的关系（见附件图号BEX-8508-2）

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